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12.08.09 18:28 Alter: 11 Jahre
Kategorie: Digital Lifestyle, Storage, Top-News
Von: Arno Kral / Nina Eichinger

Intel und Micron entwickeln 34-Nanometer-Flash-Speicherchips

Drei Bit pro Zelle und 34-Nanometer-Fertigungstechnik führen zu sensationell hoher Speicherdichte bei niedrigstem Energieverbrauch


Intel-Micron 3bpc-NAND-Flash-Chip misst nur 126 Quadratmimmimeter

Intel-Micron 3bpc NAND-Chip

Santa Clara, Kalifornien, USA / Boise, Idaho, USA – Die Intel Corporation und Micron Technology Inc. entwickeln gemeinsam neue Speicherchips für den Einsatz in Flash-Karten und USB-Drives. Dank neuer Multi-Level-Cell NAND-Technologie (MLC) können die Chips in einer Speicherzelle drei Bit ablegen (3bpc). Die Fertigung in IM Flash-Technologie (IMFT) und modernster 34-Nanometer-Prozesstechnik führt zur höchsten Speicherdichte, die die Industrie bis dato hervorgebracht hat:

32 Gigabit passen auf einen Chip von lediglich 126 Quadratmillimeter Fläche!

Einer Pressemitteilung von Intel zur Folge hat Micron bereits mit der Bemusterung begonnen und plant die Massenfertigung für das vierte Quartal 2009.


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